设计GaN氮化镓 PD充电器产品

，首先需要评估产品空间，根据空间大小，计算空间内功率密度
。

从目前市面上的GaN充电器电路架构综合分为：ACF 和QR
；部分客户只是考虑电路成本，选择QR架构是比ACF便宜不少，而忽略了产品结构空间
，功率密度带来的发热问题。如小米的65W GaN充电器采用了ACF架构，倍思是采用了QR架构

。

ACF架构比QR架构整体效率高 1-2个点
。不要小看这个1-2个点的效率。在空间结构中转换成热量，QR架构分分钟跑到100 度去了


；

本文推荐 采用NV6115/17基于有源箝位反激（ACF）设计USB－PD 充电器产品
；NV6115和NV6117分别为650V 160 mΩ和110 mΩ eMode GaN功率集成电路
，带有iDriveTM集成驱动级
，每只需要一个低电流数字输入


。

该应用电路尺寸（51 x 43 x 20.5毫米外壳）和突破性的功率密度（1.5 W/CM3）
。

AC 85-265V 输入
，开关频率可在140-490 kHz范围内调节。该设计完全符合欧洲CoC Tier 2和美国DoE六级效率标准


，此外在满负荷时达到超过94%的峰值效率。

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，专注电源管理和传感芯片集成服务20年，立足于多种自主研发的智能传感方案、特色照明方案


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